在蒸發結晶過程中，控制晶體大小主要可以通過以下幾個方面來實現：

1.控制過飽和度：過飽和度是影響晶體大小的關鍵因素。過飽和度越大，產生的晶核越多，結晶體粒徑越小。因此，通過控制溫度來維持穩定的過飽和度，可以防止局部產生過大的飽和度，從而控制晶體的大小。

2.控制停留時間：停留時間越長，產生的結晶體粒徑越大。這與液位有關，液位越高，停留時間越長。

3.攪拌強度：攪拌強度會影響晶體的大小。攪拌越強，容易破碎晶體，導致結晶體粒徑越小。

4.雜質成分：雜質成分較多時，比較容易形成晶核，從而使結晶體粒徑越小。

5.控制溶液的濃度、溫度和蒸發速度：通過控制這些參數可以影響晶體的生長。例如，溶液蒸發速度快，晶體成長時間短，導致晶體顆粒多而小。

6.使用種子晶體：將已有的較大晶體放入溶液或熔融物中，作為“種子”，可以引導周圍的分子或原子結合在其上，從而形成更大的晶體。

7.控制冷卻速度：在某些情況下，通過控制冷卻速度也可以影響晶體的尺寸，尤其是在熔融法中。

8.避免機械擾動：在蒸發、揮發法結晶等恒溫結晶操作時，應盡量避免機械擾動，以免影響晶體質量。

通過上述方法，可以在蒸發結晶過程中有效地控制晶體的大小。